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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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GGG Gd3Ga5O12 결정성 재료 단결정체 기판

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중국 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 인증
중국 ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. 인증
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GGG Gd3Ga5O12 결정성 재료 단결정체 기판

GGG Gd3Ga5O12 Crystalline Material Single Crystal Substrate
GGG Gd3Ga5O12 Crystalline Material Single Crystal Substrate

큰 이미지 :  GGG Gd3Ga5O12 결정성 재료 단결정체 기판

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Crystro
인증: SGS
모델 번호: CR20230505-02
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: 10-100
포장 세부 사항: 진공 패키지
배달 시간: 1-2 주
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온
공급 능력: 1주일에 100 PC
상세 제품 설명
아이템 이름: GGG 방식: Gd3Ga5O12
라트틱 매개 변수: a=12.376A 성장법: 초크랄스키
비중: 7.13g/cm3 모스 경도: 8.0
융해점: 1725C 굴절률: 1064nm에 있는 1.954
하이 라이트:

GGG 레이저 결정

,

가돌리니움 갈륨 가넷 단결정체 기판

,

Gd3Ga5O12 결정성 재료

크리스트로 GGG Gd3Ga5O12 결정성 재료 단결정체 기판

가돌리니움 갈륨 가넷 (GGG, Gd3Ga5O12)는 좋은 기계적이고 열이고 광학 특성으로, 가넷트 계의 합성 결정성 재료입니다. 그것은 일반적으로 무색입니다. 그것은 입방격자를 가지고 있습니다, 7.08 g/cm3과 그것의 모스 경도의 비중이 여러가지로 6.5와 7.5로 나타내어집니다. 그것의 크리스탈은 쵸크랄스키법에 의해 제조됩니다.

 

 

주요 장점 :

 

낮은 광학 손실 (<0>

고열 전도성 (7.4W m-1K-1).

높은 레이저 손상 문턱값 (>1GW/cm2)

 

 

주요 특성 :

 

화학식 Gd3Ga5O12
라트틱 매개 변수 a=12.376A
성장법 초크랄스키
비중 7.13g/cm3
모스 경도 8.0
융해점 1725C
굴절률 1064nm에 있는 1.954

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CRYSTRO는 제공할 수 있습니다 :

배향 [111] ±15 아크 분 이내에
파면 변형 <1>
직경 공차 ±0.05mm
길이 허용 오차 ±0.2mm
챔퍼 0.10mm@45o
평탄성 <1>
평행 < 30="" arc="" Seconds="">
수직 < 15="" arc="" min="">
표면 품질 10/5 스크래치 / Dig
명백한 아페레처 >90%
크리스탈의 큰 차원 지름에서 2.8-76 밀리미터
 
GGG Gd3Ga5O12 결정성 재료 단결정체 기판 0

연락처 세부 사항
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

담당자: Ms. Wu

전화 번호: 86-18405657612

팩스: 86-0551-63840588

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)