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단일 크리스탈 기판

단일 크리스탈 기판

2020-02-26

싱글 크리스탈 기판 물질은 결정 얇은 필름의 대각성 성장을위한 단일 크리스탈 웨이퍼를 의미합니다.그리고 이 용어는 특정 조건 하에 하나의 결정의 표면에 다른 하나의 결정의 다른 방향성 성장을 의미합니다.과학과 기술의 지속적인 발전, 특히 광전자 산업의 성장과 발전으로,얇은 필름의 성능과 품질은 점점 더 요구되고 있습니다.원래 기판 소재는 요구 사항에 미치지 못하기 때문에 다양한 단일 결정 물질이 기판으로 사용됩니다. 적절한 시간에 산업 규모가 확장되었습니다.그리고 연구 분야는 끊임없이 확장되고 있습니다.단 결정적 실리콘 물질은 마이크로 전자 장치와 호환성 때문에 많은 얇은 필름에 대한 선호되는 기판 재료입니다.같은 얇은 필름의 일부는 다양한 기판에 재배되어 가장 좋은 성능을 얻거나 가장 경제적 이점을 얻을 수 있습니다.예를 들어, GaN 얇은 필름 기판에는 SiC, Al23, ZnO, Si, 그리고 LiAiO2단결성 기판 물질은 광 전자 산업의 기초입니다.

단일 결정은 기판 재료로서 다음과 같은 기본 특성을 가지고 있습니다: 안정적인 물리적 및 화학적 특성, 큰 크기의 단일 결정에 쉽게 접근 할 수 있습니다. 높은 열 전도성,작은 열 확장 계수, 좋은 열 저항성, 그리고 좋은 처리 가능성.

단일 결정 기판의 종류

Single Crystal Substrates

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  • 6x

    SiNx 얇은 필름은 높은 강도, 부식 저항성, 높은 온도 저항성, 좋은 열 전도성 및 단열성 및 우수한 광 전기 성능을 가지고 있습니다. 따라서SiNx 얇은 필름은 마이크로 전자 및 마이크로 기계 시스템 분야에서 널리 사용되었습니다..

  • 가A

    갈륨 아르세나이드 (GaAs) 는 III-V 화합물 반도체 물질로 더 높은 온도와 더 큰 방향 전압에서 작동 할 수 있습니다.그것은 고전력 장치의 제조에 선호되는 재료입니다.전자 이동성은 Si의 6배이며, 작동 주파수는 높습니다. 고속 집적 회로 및 고속 전자 장치 제조에 이상적인 재료입니다.

  • 23

    0.320.78N/GaN 단 결정 얇은 필름은 사파이어 (주로 알) 에 에피타시얼 성장으로 성장합니다.23) 금속 유기화학 증기 퇴적 (MOCVD) 기술을 사용하는 기판은 고온, 고주파 및 고전력 장치를 준비하는 데 가장 선호되는 재료입니다.물질 시스템은 위성에서 큰 응용 잠재력을 가지고 있습니다., 레이더, 통신 및 기타 분야.

  • SrTiO3

    스트론슘 티타나트 (SrTiO)3) 는 널리 사용되는 전자 기능성 세라믹 재료로, 높은 변압기 상수, 낮은 변압기 손실 및 좋은 열 안정성의 장점을 가지고 있습니다.그리고 그것은 전자에서 널리 사용됩니다동시에, 기능성 재료로서, 스트론슘 티타나트는 뛰어난 광 촉매 작용을 가지고 있습니다.특유의 전자기적 성질과 적산화 촉매 작용이 있습니다.스트론슘 티타나트는 수소를 생산하기 위해 물의 광 촉매 분해, 유기 오염 물질의 광 촉매 분해 및 광 화학 배터리에도 널리 사용되었습니다.또한, 그것은 종종 합성 에메랄드 유형의 보석으로 잘라지며 다이아몬드 대용품입니다.

신청서

Single Crystal Substrates

  • 빛나는 재료: 반도체 발광 다이오드 (LED) 는 흰 빛을 생산하며 에너지 절감 및 환경 친화적 특성으로 인해그들은 이 세기의 가장 귀중한 새로운 빛의 원천이 되었습니다.. 일결성 기판 물질은 LED에서 핵심적인 역할을 합니다. 현재 일반적으로 사용되는 기판은 SiC, Al23그리고 Si. SiC 단일 결정의 녹는점은 매우 높습니다, 약 2700°C, 그래서 그것의 화학적 특성은 비교적 안정적입니다. SiC 기판 물질은 6H 타입과 4H 타입으로 제공됩니다.이는 생산 통제를 더 어렵게 만듭니다.1991 년까지 6H-SiC 유형이 상업화되기 시작했으며 4H-SiC의 상업화는 1994 년부터 시작되었습니다. SiC 기판 물질은 1996 년 LED의 탄생을위한 기초를 마련했습니다.

  • 초전도 물질: 초전도 물질은 일반적으로 초연결한 표면 단일 결정 기판에 준비됩니다. 초연결한 표면이라고 불리는 것은 1 nm 이하의 거칠성으로 표면입니다.표면 손상 또는 스크래치 및 지하 손상없이 특징입니다이 초순한 표면 단일 크리스탈 기판 가공은 점차 초전도성, 거대한 자기 저항, 철 전기 얇은 필름과 같은 많은 분야에 침투하고 있습니다.거의 큐브 구조의라알로3정상 온도에서는 0.379nm의 격자 상수를 가진 전형적인 초순한 표면 단일 결정 기판입니다.라알로3고온 초전도 물질 YBCO의 기판으로 자주 사용됩니다.

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싱글 크리스탈 기판 물질은 결정 얇은 필름의 대각성 성장을위한 단일 크리스탈 웨이퍼를 의미합니다.그리고 이 용어는 특정 조건 하에 하나의 결정의 표면에 다른 하나의 결정의 다른 방향성 성장을 의미합니다.과학과 기술의 지속적인 발전, 특히 광전자 산업의 성장과 발전으로,얇은 필름의 성능과 품질은 점점 더 요구되고 있습니다.원래 기판 소재는 요구 사항에 미치지 못하기 때문에 다양한 단일 결정 물질이 기판으로 사용됩니다. 적절한 시간에 산업 규모가 확장되었습니다.그리고 연구 분야는 끊임없이 확장되고 있습니다.단 결정적 실리콘 물질은 마이크로 전자 장치와 호환성 때문에 많은 얇은 필름에 대한 선호되는 기판 재료입니다.같은 얇은 필름의 일부는 다양한 기판에 재배되어 가장 좋은 성능을 얻거나 가장 경제적 이점을 얻을 수 있습니다.예를 들어, GaN 얇은 필름 기판에는 SiC, Al23, ZnO, Si, 그리고 LiAiO2단결성 기판 물질은 광 전자 산업의 기초입니다.

단일 결정은 기판 재료로서 다음과 같은 기본 특성을 가지고 있습니다: 안정적인 물리적 및 화학적 특성, 큰 크기의 단일 결정에 쉽게 접근 할 수 있습니다. 높은 열 전도성,작은 열 확장 계수, 좋은 열 저항성, 그리고 좋은 처리 가능성.

단일 결정 기판의 종류

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  • 6x

    SiNx 얇은 필름은 높은 강도, 부식 저항성, 높은 온도 저항성, 좋은 열 전도성 및 단열성 및 우수한 광 전기 성능을 가지고 있습니다. 따라서SiNx 얇은 필름은 마이크로 전자 및 마이크로 기계 시스템 분야에서 널리 사용되었습니다..

  • 가A

    갈륨 아르세나이드 (GaAs) 는 III-V 화합물 반도체 물질로 더 높은 온도와 더 큰 방향 전압에서 작동 할 수 있습니다.그것은 고전력 장치의 제조에 선호되는 재료입니다.전자 이동성은 Si의 6배이며, 작동 주파수는 높습니다. 고속 집적 회로 및 고속 전자 장치 제조에 이상적인 재료입니다.

  • 23

    0.320.78N/GaN 단 결정 얇은 필름은 사파이어 (주로 알) 에 에피타시얼 성장으로 성장합니다.23) 금속 유기화학 증기 퇴적 (MOCVD) 기술을 사용하는 기판은 고온, 고주파 및 고전력 장치를 준비하는 데 가장 선호되는 재료입니다.물질 시스템은 위성에서 큰 응용 잠재력을 가지고 있습니다., 레이더, 통신 및 기타 분야.

  • SrTiO3

    스트론슘 티타나트 (SrTiO)3) 는 널리 사용되는 전자 기능성 세라믹 재료로, 높은 변압기 상수, 낮은 변압기 손실 및 좋은 열 안정성의 장점을 가지고 있습니다.그리고 그것은 전자에서 널리 사용됩니다동시에, 기능성 재료로서, 스트론슘 티타나트는 뛰어난 광 촉매 작용을 가지고 있습니다.특유의 전자기적 성질과 적산화 촉매 작용이 있습니다.스트론슘 티타나트는 수소를 생산하기 위해 물의 광 촉매 분해, 유기 오염 물질의 광 촉매 분해 및 광 화학 배터리에도 널리 사용되었습니다.또한, 그것은 종종 합성 에메랄드 유형의 보석으로 잘라지며 다이아몬드 대용품입니다.

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  • 빛나는 재료: 반도체 발광 다이오드 (LED) 는 흰 빛을 생산하며 에너지 절감 및 환경 친화적 특성으로 인해그들은 이 세기의 가장 귀중한 새로운 빛의 원천이 되었습니다.. 일결성 기판 물질은 LED에서 핵심적인 역할을 합니다. 현재 일반적으로 사용되는 기판은 SiC, Al23그리고 Si. SiC 단일 결정의 녹는점은 매우 높습니다, 약 2700°C, 그래서 그것의 화학적 특성은 비교적 안정적입니다. SiC 기판 물질은 6H 타입과 4H 타입으로 제공됩니다.이는 생산 통제를 더 어렵게 만듭니다.1991 년까지 6H-SiC 유형이 상업화되기 시작했으며 4H-SiC의 상업화는 1994 년부터 시작되었습니다. SiC 기판 물질은 1996 년 LED의 탄생을위한 기초를 마련했습니다.

  • 초전도 물질: 초전도 물질은 일반적으로 초연결한 표면 단일 결정 기판에 준비됩니다. 초연결한 표면이라고 불리는 것은 1 nm 이하의 거칠성으로 표면입니다.표면 손상 또는 스크래치 및 지하 손상없이 특징입니다이 초순한 표면 단일 크리스탈 기판 가공은 점차 초전도성, 거대한 자기 저항, 철 전기 얇은 필름과 같은 많은 분야에 침투하고 있습니다.거의 큐브 구조의라알로3정상 온도에서는 0.379nm의 격자 상수를 가진 전형적인 초순한 표면 단일 결정 기판입니다.라알로3고온 초전도 물질 YBCO의 기판으로 자주 사용됩니다.